ĐẶC ĐIỂM NỔI BẬT
- Giao diện: PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0
- Dung lượng: 1TB (1,000GB)
- Tốc độ đọc tuần tự: Up to 14,700 MB/s
- Tốc độ ghi tuần tự: Up to 13,300 MB/s
- Tốc độ đọc ngẫu nhiên: Up to 1,850,000 IOPS
- Tốc độ ghi ngẫu nhiên: Up to 2,600,000 IOPS
- Loại bộ nhớ: Samsung V-NAND TLC
- Bộ nhớ Cache: Samsung 1GB Low Power DDR4X SDRAM
- Bảo mật: AES 256-bit Encryption, TCG/Opal IEEE1667
- Tiêu thụ điện năng: 7.6W (đọc) / 7.2W (ghi), chế độ chờ 3.3mW
Ổ cứng SSD Samsung 9100 PRO 1TB | PCIe Gen5 x4 NVMe, M.2 2280 (MZ-VAP1T0BW)
TẤT CẢ KHUYẾN MÃI: Xem tại đây
Miễn phí giao hàng nội thành TP. Buôn Ma Thuột cho đơn từ 500K
Danh mục gợi ý liên quan:
Mô tả sản phẩm
SSD Samsung 9100 PRO 1TB dành cho hệ thống lưu trữ hiệu năng cao
Samsung 9100 PRO 1TB (MZ-VAP1T0BW) là ổ SSD NVMe định dạng M.2 2280, sử dụng giao diện PCIe 5.0 x4 và chuẩn NVMe 2.0. Sản phẩm hướng đến gaming, sáng tạo nội dung và các tác vụ chuyên nghiệp cần tốc độ truy xuất dữ liệu cao.
Tốc độ tuần tự lên đến 14.700 MB/s
Ổ đạt tốc độ đọc tuần tự tối đa 14.700 MB/s và ghi tuần tự tối đa 13.300 MB/s. Hiệu năng này hỗ trợ rút ngắn thời gian khởi động hệ thống, tải trò chơi và xử lý các tập dữ liệu dung lượng lớn.
Khả năng xử lý truy xuất ngẫu nhiên
Tốc độ đọc ngẫu nhiên đạt tối đa 1.850.000 IOPS, trong khi tốc độ ghi ngẫu nhiên lên đến 2.600.000 IOPS. Đây là đặc tính phù hợp với những tác vụ thường xuyên truy cập nhiều tệp hoặc thực hiện đồng thời nhiều thao tác đọc ghi.
V-NAND TLC và bộ nhớ đệm riêng
Samsung trang bị cho 9100 PRO bộ nhớ Samsung V-NAND TLC, bộ điều khiển Samsung in-house và 1GB Low Power DDR4X SDRAM làm bộ nhớ đệm. Ổ có độ bền ghi 600 TBW, MTBF 1.500.000 giờ và khối lượng tối đa 9g.
Bảo mật dữ liệu và mức tiêu thụ điện
Sản phẩm hỗ trợ mã hóa AES 256-bit cùng TCG/Opal IEEE1667. Mức tiêu thụ điện trung bình được công bố là 7,6W khi đọc, 7,2W khi ghi và 3,3mW ở chế độ chờ.
Nhiệt độ vận hành và kích thước
- Nhiệt độ hoạt động: 0°C đến 70°C.
- Kích thước: 80,15 x 22,15 x 2,38 mm.
- Định dạng: M.2 2280.
- Dung lượng: 1TB (1.000GB).
SSD Samsung 9100 PRO 1TB được Vi Tính BMT giới thiệu cho nhóm người dùng cần ổ lưu trữ NVMe Gen5 có tốc độ đọc ghi cao, bộ nhớ đệm riêng và các tính năng mã hóa dữ liệu.
Thông số kỹ thuật
| Thông tin chung | |
|---|---|
| Thương hiệu | Samsung |
| Tên / Mã sản phẩm | BZ-O-CUNG-SSD-SAMSU-D4C8600C |
| Tình trạng | In Stock |
| Thông số cơ bản | |
| Dung lượng | 1TB |
| Thông số kỹ thuật | |
| Chuẩn kết nối | PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0, M.2 2280 |
| DRAM | 1GB Samsung Low Power DDR4X SDRAM |
| DRAM Cache | Samsung 1GB Low Power DDR4X SDRAM |
| Độ bền (TBW) | 600 TBW |
| Loại SSD | SSD M.2 NVMe |
| MTBF | 1.500.000 giờ |
| NAND | Samsung V-NAND TLC |
| Tốc độ đọc ngẫu nhiên | 1850K IOPS |
| Tốc độ đọc tuần tự | 14700 MB/s |
| Tốc độ ghi ngẫu nhiên | 2600K IOPS |
| Tốc độ ghi tuần tự | 13300 MB/s |
| Trọng lượng | Max 9.0g |
| Thông tin chung | |
| Bảo hành | 60 tháng (5 năm) |
| Ngành hàng | Ổ cứng SSD |
| Nhu cầu | Gaming |
| Tên sản phẩm | SSD SAMSUNG 1T 9100 PRO NVME GEN5 M2 (MZ-VAP1T0BW ) CHÍNH HÃNG - BH 60T |
| Thương hiệu | SAMSUNG |
| Tình trạng | Mới |
| Kích thước & Điện năng | |
| Kích thước | M.2 2280, 80.15 x 22.15 x 2.38 mm |
Đánh giá sản phẩm
Chia sẻ trải nghiệm thực tế để giúp khách hàng khác lựa chọn tốt hơn.